具有预读操作电阻漂移回复的多阶单元相变记忆体装置，使用该装置的记忆体系统，和读取记忆体装置的方法

主权项

一种记忆体装置，其包含：复数个记忆体单元，每一记忆体单元包含一具有一回应于一在一程式化操作中所施加之程式化电流而判定的初始电阻之记忆体单元材料，在该程式化操作后之一时间周期内，该记忆体单元之电阻自该初始电阻变化，且每一记忆体单元连接至该记忆体装置之一导线，该导线用以在该程式化操作中施加该程式化电流以程式化该相应记忆体单元之该电阻，且用以在一读取操作中施加一读取电流以读取该相应记忆体单元之该电阻；及一调节电路，其在对经选择用于该读取操作的该复数个记忆体单元中之一记忆体单元之该读取操作前调节该记忆体单元之该电阻以使其电阻返回至该初始电阻附近。