发明名称 |
一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板 |
摘要 |
本发明公开了一种像素驱动电路及其制备方法及阵列基板,像素驱动电路包括开关TFT和驱动TFT该方法包括:在基板上依次同时制作开关TFT和驱动TFT的栅极、栅绝缘GI层、氧化物半导体层、ESL层;同时开关TFT和驱动TFT的源极/漏极金属,经刻蚀所述开关TFT的漏极金属延伸覆盖在驱动TFT的栅极上方的GI层上;沉积保护层,利用过孔工艺将过孔处的保护层、开关TFT的漏极金属及GI层刻蚀掉,露出驱动TFT的栅极;在过孔处沉积连接开关TFT的漏极及驱动TFT的栅极的氧化铟锡ITO层。本发明增加了背板的开口率且降低了干刻刻蚀比的开发及工艺的复杂性。 |
申请公布号 |
CN102683276B |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201210054258.0 |
申请日期 |
2012.03.02 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
姜春生 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种像素驱动电路的制备方法,所述像素驱动电路包括开关薄膜场效应晶体管TFT和驱动TFT,其特征在于,包括:在基板上依次制作开关TFT和驱动TFT的栅极、开关TFT和驱动TFT的栅绝缘层、开关TFT和驱动TFT的氧化物半导体层、开关TFT和驱动TFT的刻蚀阻挡层;同时沉积开关TFT和驱动TFT的源极/漏极金属,经刻蚀所述开关TFT的漏极金属延伸覆盖在驱动TFT的栅极上方的栅绝缘层上;沉积保护层,利用过孔工艺将过孔处的保护层、开关TFT的漏极金属及栅绝缘层刻蚀掉,露出驱动TFT的栅极;在过孔处沉积连接开关TFT的漏极及驱动TFT的栅极的氧化铟锡ITO层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |