| 发明名称 | 发光二极管封装结构 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片及覆盖发光二极管芯片于基板上的封装层，所述封装层内分布有散热颗粒，所述散热颗粒包括碳纳米颗粒和包覆该碳纳米颗粒于内的类钻石膜。由于碳纳米材料和类钻石材料均具有良好的导热效率，因此能够有效提高发光二极管封装结构的散热效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102856465B | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201110179310.0 | 申请日期 | 2011.06.29 |
| 申请人 | 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 | 发明人 | 洪孟贤 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 主权项 | 一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片及覆盖发光二极管芯片于基板上的封装层，其特征在于：所述封装层内分布有散热颗粒，所述散热颗粒包括碳纳米颗粒和包覆该碳纳米颗粒于内的类钻石膜。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市龙华新区龙观东路83号荣群大厦11楼 | ||