用于制作阵列基板的方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种用于制作阵列基板的方法及阵列基板，该方法包括：在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；在覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露覆盖层的镂空区；对形成光阻区的基板进行处理以在多晶硅有源层中形成对应于光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于镂空区的离子重掺杂区；对形成离子轻掺杂区和离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极。本发明避免了采用侧向蚀刻工艺形成LDD结构的低温多晶硅薄膜晶体管，降低了采用低温多晶硅薄膜晶体管制作阵列基板的难度。

主权项

一种用于制作阵列基板的方法，包括：在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；在所述覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在所述覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露所述覆盖层的镂空区；对形成所述光阻区的基板进行处理以在所述多晶硅有源层中形成对应于所述光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于所述镂空区的离子重掺杂区；对形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极。