| 发明名称 | 一种用于SiC功率器件的终端钝化结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于SiC功率器件领域，具体涉及一种用于SiC功率器件的终端钝化结构及其制备方法。该终端钝化结构采用DLC薄膜层替换现有的聚酰亚胺类材料以及非化学计量氮化硅层和化学计量氮化硅层的复合结构。该钝化方法采用DLC薄膜材料对SiC功率器件进行终端钝化保护。该钝化结构在SiC器件工作的温度下，提高器件反向击穿电压，降低反向漏电流，稳定、可靠地承受更高的工作温度，提高器件可靠性，有效地解决了SiC器件高温工作时的终端钝化保护问题，并且结构简单，工艺实现难度低。 | ||
| 申请公布号 | CN104409427A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410627317.8 | 申请日期 | 2014.11.10 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 史晶晶 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人 | 卢宏 |
| 主权项 | 一种用于SiC功率器件的终端钝化结构，包括SiC衬底层（2），设置于SiC衬底层（2）一侧的欧姆接触层（1）、设置于SiC衬底层（2）另一侧的SiC外延层（3）、位于SiC外延层（3）上方中间位置的肖特基接触层（5）、位于SiC外延层（3）上且位于所述肖特基接触层（5）外围的氧化硅层（6）；其特征是，在所述氧化硅层（6）上以及所述肖特基接触层（5）上均设有DLC 薄膜层（8），且位于肖特基接触层（5）上的DLC 薄膜层（8）设有用于暴露肖特基接触层（5）的开口（7）。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路 | ||