| 发明名称 |
MANUFACTURING PROCESS OF GALLIUM-ARSENIDE TUNNEL-DIODES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3481032(A) |
申请公布日期 |
1969.12.02 |
| 申请号 |
USD3481032 |
申请日期 |
1967.10.02 |
| 申请人 |
NICOLE M. PUYCHEVRIER;MAURICE J. MENORET |
发明人 |
NICOLE M. PUYCHEVRIER;MAURICE J. MENORET |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/207;H01L29/88;(IPC1-7):B01J17/00;H01L7/18 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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