发明名称 直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法
摘要 本发明公开了一种直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法,主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(11),其中钝化层(8)内设有凹槽(9),钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有直角栅场板(10),直角栅场板(10)靠近栅极一侧边缘与凹槽靠近栅极一侧边缘对齐,该直角栅场板与栅极(7)电气连接,且下端完全填充在凹槽(9)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。
申请公布号 CN104409495A 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201410660230.0 申请日期 2014.11.18
申请人 西安电子科技大学 发明人 毛维;郝跃;范举胜;董萌;刘红侠;杨林安;王冲;郑雪峰;张金风
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 主分类号 H01L29/778(2006.01)I
代理机构 陕西电子工业专利中心 61205 代理人 王品华;朱红星
主权项 一种直角栅场板异质结场效应晶体管,自下而上包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(11),势垒层(3)的上面淀积有源极(4)、漏极(5)与栅极(7),势垒层(3)的侧面刻有台面(6),且台面的深度大于势垒层的厚度,其特征在于,钝化层(8)内刻有凹槽(9),钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有直角栅场板(10),该直角栅场板(10)与栅极(7)电气连接,且其下端完全在填充凹槽(9)内,直角栅场板靠近栅极一侧边缘与凹槽靠近栅极一侧边缘对齐。
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号