| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够在栅极驱动信号的时序简单，栅极驱动电路的功耗小，且不需要改变现有的栅极驱动电路的结构的前提下，即可对像素电极进行预充电。该阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的栅线和像素，每个所述像素包括第一薄膜晶体管和像素电极，第n条所述栅线控制第n行所述第一薄膜晶体管对第n行所述像素电极进行充电，其特征在于，每个所述像素还包括第二薄膜晶体管，第n-1条所述栅线控制第n行所述第二薄膜晶体管对第n行所述像素电极进行预充电，其中，n为大于等于2的正整数。本发明实施例还提供了一种包括上述阵列基板的显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104409461A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410645947.8 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 姚之晓;田明;刘家荣 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的栅线和像素，每个所述像素包括第一薄膜晶体管和像素电极，第n条所述栅线控制第n行所述第一薄膜晶体管对第n行所述像素电极进行充电，每个所述像素还包括第二薄膜晶体管，第n‑1条所述栅线控制第n行所述第二薄膜晶体管对第n行所述像素电极进行预充电，其中，n为大于等于2的正整数。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||