LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED芯片，包括：衬底；n型GaN层，设置在衬底上，远离衬底的n型GaN层的表面包括第一表面和第二表面；LED芯片还包括n型电极，n型电极包括：第一n型电极部，设置在n型GaN层的第二表面上；第二n型电极部，与第一n型电极部连接且向n型GaN层内部延伸设置。本发明提供的LED芯片在锥形槽中蒸镀电极。首先增加了电极接触面积，降低了接触电阻，相同电压条件下，得到更高的电流密度；其次，设置锥型槽后，能使得电子迁移路径缩短，提高电流的横向扩展能力。使得电流在芯片的横向面上分布更加均匀。进而使得MQW有源区中复合发光的强度和面积也更加均匀，有效复合电子浓度也可以得到相应的增加。

主权项

一种LED芯片，包括：衬底；n型GaN层，设置在所述衬底上，远离所述衬底的n型GaN层的表面包括第一表面和第二表面；其特征在于，所述LED芯片还包括n型电极，所述n型电极包括：第一n型电极部，设置在所述n型GaN层的第二表面上；第二n型电极部，与所述第一n型电极部连接且向所述n型GaN层内部延伸设置。