| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit mindestens drei Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1514665(A1) |
申请公布日期 |
1969.12.11 |
| 申请号 |
DE19661514665 |
申请日期 |
1966.01.14 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
HELMUT HEISSING,DIPL.-PHYS.;WINFRIED MEER,DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L29/00;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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