晶体管的制作方法

摘要

本发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲层、伪栅极，所述牺牲层和伪栅极两侧的半导体衬底上形成有侧墙；在所述伪栅极和侧墙两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；去除所述伪栅极和牺牲层，形成露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽底部形成栅介质层；在所述沟槽侧壁和栅介质层上形成高K介质层；在所述沟槽内的高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述层间介质层齐平。本发明的栅介质层的结构完整，提高了所述高K介质层与栅介质层之间的粘附性，减小了晶体管的漏电流，改善了晶体管的稳定性。

主权项

一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲层、伪栅极，所述牺牲层和伪栅极两侧的半导体衬底上形成有侧墙；在所述伪栅极和侧墙两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；去除所述伪栅极和牺牲层，形成露出所述半导体衬底的沟槽，所述牺牲层的去除工艺为等离子体刻蚀工艺，所述等离子体刻蚀工艺采用氮离子、氟离子和氢离子组成的等离子基团作为刻蚀离子，并且，所述等离子刻蚀工艺包括：主刻蚀步骤，利用所述等离子基团刻蚀所述牺牲层，形成反应物质，所述主刻蚀步骤的温度小于100摄氏度；退火步骤，将所述主刻蚀步骤中的反应物质加热至挥发，所述退火步骤的温度大于250摄氏度小于400摄氏度；清洁步骤，将所述退火步骤中产生的气体去除，所述等离子体刻蚀工艺对所述牺牲层和半导体衬底的刻蚀选择比大于15：1，所述等离子体刻蚀工艺对所述牺牲层和侧墙的刻蚀选择比大于5:1；在所述沟槽底部形成栅介质层；在所述沟槽侧壁和栅介质层上形成高K介质层；在所述沟槽内的高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述层间介质层齐平。