双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法。根据本发明的双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法包括：提供具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体器件，并且在所述半导体器件上方形成拉应力层；随后，利用第一光刻胶层将NMOS晶体管上方的拉应力层遮蔽，暴露出PMOS晶体管的拉应力层；随后，去除PMOS晶体管上方的拉应力层；随后，去除第一光刻胶层；在去除第一光刻胶层之后对所述拉应力氮化硅层进行紫外光照射；之后，在所述半导体器上方形成压应力层；此后，利用第二光刻胶层将PMOS晶体管上方的压应力层遮蔽，暴露出NMOS晶体管上方的压应力层；然后，去除NMOS晶体管上方的压应力层；随后，去除第二光刻胶层。

主权项

一种双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法，其特征在于包括：提供具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体器件，并且在所述半导体器件上方形成拉应力层；随后，利用第一光刻胶层将NMOS晶体管上方的拉应力层遮蔽，暴露出PMOS晶体管的拉应力层；随后，去除PMOS晶体管上方的拉应力层；随后，去除第一光刻胶层；在去除第一光刻胶层之后对所述拉应力氮化硅层进行紫外光照射；所述紫外光照射的波长范围为320‑400nm，所述紫外光照射的照射温度范围为300℃‑500℃，所述紫外光照射的照射时间为2‑7分钟；通过调整所述紫外光照射的强度和/或时间以使得所述拉应力氮化硅薄膜的最终应力范围为1.2‑1.7Gpa；之后，在所述半导体器上方形成压应力层；此后，利用第二光刻胶层将PMOS晶体管上方的压应力层遮蔽，暴露出NMOS晶体管上方的压应力层；然后，去除NMOS晶体管上方的压应力层；此后，去除第二光刻胶层。