半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成层间介质层，层间介质层内形成有的第一金属互连结构和第二金属互连结构；去除部分厚度的层间介质层；在第一金属互连结构和第二金属互连结构的表面和侧壁以及层间介质层的表面形成第一低K介质层；在第一金属互连结构两侧的形成第一侧墙，在第二金属互连结构两侧形成第二侧墙；形成覆盖第一低K介质层、第一侧墙和第二侧墙表面的第三低K介质层；去除所述第一侧墙和第二侧墙，形成第一空隙；在第三低K介质层、第一低K介质层、第一金属互连结构和第二金属互连结构表面形成覆盖层，所述覆盖层横跨所述第一空隙，形成第一空气隙。采用自对准工艺形成空气隙，提高了空气隙的形成精度。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层内形成有分立的第一金属互连结构和第二金属互连结构；去除部分厚度的层间介质层，暴露出第一金属互连结构和第二金属互连结构的表面和侧壁；在第一金属互连结构和第二金属互连结构的表面和侧壁以及层间介质层的表面形成第一低K介质层；在第一金属互连结构两侧的第一低K介质层上形成第一侧墙，在第二金属互连结构两侧的第一低K介质层上形成第二侧墙；形成覆盖所述第一低K介质层、第一侧墙和第二侧墙表面的第三低K介质层；化学机械研磨所述第三低K介质层、第一低K介质层、第一侧墙和第二侧墙，以第一金属互连结构和第二金属互连结构的顶部表面为停止层；去除所述第一侧墙和第二侧墙，形成第一空隙；在第三低K介质层、第一低K介质层、第一金属互连结构和第二金属互连结构表面形成覆盖层，所述覆盖层横跨所述第一空隙，形成第一空气隙。