| 发明名称 | C12A7电子化合物的薄膜的制造方法及C12A7电子化合物的薄膜 | ||
| 摘要 | 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>～2.3×10<sup>21</sup>cm<sup>-3</sup>的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104411860A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201380032070.9 | 申请日期 | 2013.06.19 |
| 申请人 | 国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社 | 发明人 | 细野秀雄;户田喜丈;林克郎;伊藤节郎;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;伊藤和弘 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 于洁;王海川 |
| 主权项 | 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×10<sup>18</sup>cm<sup>‑3</sup>～2.3×10<sup>21</sup>cm<sup>‑3</sup>的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||