LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种LED外延结构，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于高温GaN层之上；过渡层，位于高温N型GaN层之上，其中过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30-120nm；发光层，位于过渡层之上，发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1-x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于P型AlGaN层之上。本发明还公开了一种LED外延结构的生长方法。本发明提供的LED外延结构减少了高温N型GaN层和发光层之间的应力。

主权项

一种LED外延结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于所述低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于所述高温GaN层之上；过渡层，位于所述高温N型GaN层之上，其中所述过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30‑120nm；发光层，位于所述过渡层之上，所述发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1‑x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于所述发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于所述P型AlGaN层之上。