基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺

摘要

本发明公开了一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，主要包括以下步骤：（1）进舟；（2）升温稳定；（3）第一步沉积；（4）第二步沉积；（5）推进；（6）吸杂；（7）低温再次推进；（8）降温退火出舟。本发明通过太阳能行业生产过程中多晶硅扩散工艺的创新来实现低少子寿命B类多晶硅片中金属离子的去除和硅片晶体结构的改善，提高地少子寿命B类片所产出的太阳能电池光电转换效率，使得此类硅片少子寿命平均值不低于12μs，并且使该类硅片生产的电池效率比使用产线正常工艺生所产生电池的电池效率高0.2%。

主权项

基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到780‑800℃时，将待处理的硅片放入炉管内；（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在780‑800℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为5~15L/min；（3）第一步沉积：在780‑800℃的温度下，向炉管内通入500~1000sccmN₂携带的POCl₃,时间为10~20min，完成低温下恒定表面浓度扩散；（4）第二步沉积：将炉管内温度升高到820~835℃，在升温过程中持续通入500~1000sccmN₂携带的POCl₃,时间为10~25min，完成变温下恒定表面浓度扩散；（5）推进：将炉管内温度保持在820~835℃下6~12min，此时停止磷源的通入，但通入500~1000sccm的O₂，完成恒定磷源总量推进；（6）吸杂：将炉管内温度降至800~810℃，并保持20min，此时通入500~1000sccm N₂携带POCl₃；（7）低温再次推进：将炉管内温度降低至780‑800℃，并保持40~60min，此时通入100~500sccm的O₂，完成低温再次推进；（8）降温退火出舟：将炉管内温度降至565‑585℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。