发明名称 | 半导体结构 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI476952 | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
申请号 | TW101123119 | 申请日期 | 2012.06.28 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 |
分类号 | H01L33/02 | 主分类号 | H01L33/02 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种半导体结构,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面;其改良在于:进一步包括一第一光学对称层、金属电浆产生层以及第二光学对称层依次层叠设置于所述第二半导体层远离基底的表面,所述第二光学对称层的等效折射率n1,与所述基底、第一半导体层、活性层、第二半导体层以及第一光学对称层整体的等效折射率n2的差值△n大于等于0小于等于0.5,其中△n=|n1-n2|。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |