发明名称 一种钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池的制备方法
摘要 本发明公开了一种钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池的制备方法,属于太阳能电池和纳米技术领域。本发明的钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池是由透明导电电极(1)、致密层(2)、n型半导体介孔层(3)、钙钛矿相吸光层(4)、p型半导体量子点层(5)和对电极(6)组成。p型半导体量子点为Cu<sub>2</sub>O、CuI、CuInS<sub>2</sub>、PbS、PbSe或Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>,替代昂贵的有机空穴传输材料,能有效分离太阳能电池中的光生载流子,降低电子与空穴的复合,显著提高填充因子和光电转换效率。本发明的太阳能电池光电转换效率高、制备工艺简单、原料成本低、易于产业化实施。
申请公布号 CN104409642A 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201410673751.X 申请日期 2014.11.21
申请人 北京科技大学 发明人 田建军;李波;沈婷;曲选辉
分类号 H01L51/48(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I 主分类号 H01L51/48(2006.01)I
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人 张仲波
主权项 一种钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池的制备方法,其特征在于是由透明导电电极(1)、致密层(2)、n型半导体介孔层(3)、钙钛矿相吸光层(4)、p型半导体量子点层(5)和对电极(6)组成,具体制备步骤如下:(a)在透明导电电极(1)上制备致密层(2):采用旋涂工艺,以2000~5000转/分钟将0.05~0.3摩尔浓度的氧化物前驱体溶液涂覆在透明导电电极(1)上,经300~500摄氏度烧结后,获得厚度为10~80纳米的氧化物致密层(2);(b)n型半导体介孔层(3)的制备:将粒径为20~50纳米的n型半导体氧化物按质量比1:2~1:5分散于无水乙醇中,以2000~6000转/分钟旋涂覆盖在致密层(2)上,经300~500摄氏度烧结后,获得厚度为150~800纳米的n型半导体介孔层(3);(c)钙钛矿相吸光层(4)的制备:将氯化铅(PbCl<sub>2</sub>)或碘化铅(PbI<sub>2</sub>)与甲氨基碘(CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>I)按摩尔比1:1~1:4溶于N‑N二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,形成0.5~1.5摩尔浓度前驱溶液,以1000~5000转/分钟旋涂覆盖在半导体介孔层(3)上,经70~100摄氏度加热10~60分钟后,获得覆盖层厚度为50~500纳米的有机无机杂化物CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>(3‑x)</sub>Cl<sub>x</sub>或CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>钙钛矿相吸光层(4);(d)p型半导体量子点层(5)的制备:将0.05~1.0摩尔浓度的p型量子点胶体溶液,以1000~5000转/分种旋涂覆盖到钙钛矿层(4)上,经50~100℃加热5~40分钟,获得厚度为5~500纳米的p型半导体量子点层(5);(e)对电极是利用真空热蒸镀或电子束蒸镀在量子点层表面(5)蒸镀一层厚度为50~100纳米的金或银对电极(6)。
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