发明名称 |
一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法,首先准备一衬底,在衬底上制备石墨烯薄层;然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层;所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层,所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层,所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成。本发明突出效果为:采用石墨烯作为GaN缓冲层与衬底之间的应力释放基底,可将石墨烯作为基底的功能最大限度的发挥,有效的突破了两步生长法所能达到的晶格位错密度极限,将原有位错密度降低一个数量级以上。 |
申请公布号 |
CN104409319A |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201410580296.9 |
申请日期 |
2014.10.27 |
申请人 |
苏州新纳晶光电有限公司 |
发明人 |
南琦;王怀兵;王辉;吴岳;傅华 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01S5/323(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 32102 |
代理人 |
陆明耀;陈忠辉 |
主权项 |
一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法,首先准备一衬底,在衬底上制备石墨烯薄层;然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层;其特征在于:所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层,所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层,所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成,包括如下步骤,S1,在氢气与氮气混合氛围下,将带有石墨烯薄层的衬底升温500‑700℃,生长厚度范围为1nm~10nm的第一层低温GaN缓冲薄层;S2,关闭氮气,停止通入MO源10S‑60S,在纯氢气氛围中进行第一层低温GaN缓冲薄层的退火处理;S3,待S2结束后,开启氮气,通入MO源,继续生长第二层低温GaN缓冲薄层;S4,在第二层低温GaN缓冲层上重复生长若干低温GaN缓冲薄层构成低温GaN缓冲层;S5,升温至1000‑1050℃,在氮气与氢气混合气的气氛下,在低温GaN缓冲层上生长厚度为100nm~200nm的第一层高温GaN缓冲薄层;S6,关闭氮气,停止通入MO源10S‑60S,在纯氢气氛围中进行第一层高温GaN缓冲薄层的退火处理;S7,待S6结束后,开启氮气,通入MO源,继续生长厚度为100nm~200nm的第二层高温GaN缓冲薄层;S8,在第二层高温GaN缓冲层上重复生长若干厚度相同的高温GaN缓冲薄层构成高温GaN缓冲层。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 |