| 发明名称 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，以解决现有结构的金属氧化物薄膜晶体管在工作过程中电流不稳定，容易产生大电流使得金属氧化物薄膜晶体管无法被关断的问题。所述金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板，形成于所述衬底基板上相互接触的、且位于不同层的有源层和源漏极金属层，所述源漏极金属层包括分隔开的源电极和漏电极；所述有源层在位于所述源电极和所述漏电极之间的沟道区域具有镂空结构。该镂空结构的所述有源层使得通过的电流平稳，不会产生导致薄膜晶体管无法被关断的大电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104409513A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410635863.6 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 商广良 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底基板，形成于所述衬底基板上的有源层和源漏极金属层，所述源漏极金属层包括分隔开的源电极和漏电极；所述有源层在位于所述源电极和所述漏电极之间的沟道区域具有镂空结构。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||