| 发明名称 | 晶圆正面蒸金方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆正面蒸金方法，包括依次执行的下述步骤：第一步骤，用于在待正面蒸金的晶圆的待正面蒸金表面上形成TiN层；第二步骤，用于将待正面蒸金的晶圆布置在晶圆承载环上，从而从下方露出待正面蒸金表面上的TiN层，并且在待正面蒸金的晶圆顶部盖上防污染盖；第三步骤，用于在待正面蒸金表面上的TiN层上通过蒸发工艺形成正面金属。在本发明的晶圆正面蒸金方法中，在正面金属层形成之前在晶圆上布置一个TiN层，并且利用接地环导出在蒸镀过程中产生的二次电子，防止栅极氧化层中累积电子，从而能够防止晶圆中形成的器件的阈值电压偏移。 | ||
| 申请公布号 | CN104409342A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410667912.4 | 申请日期 | 2014.11.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘宇;王鹏;李秀然 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种晶圆正面蒸金方法，其特征在于包括依次执行的下述步骤：第一步骤，用于在待正面蒸金的晶圆的待正面蒸金表面上形成TiN层；第二步骤，用于将待正面蒸金的晶圆布置在晶圆承载环上，从而从下方露出待正面蒸金表面上的TiN层，并且在待正面蒸金的晶圆顶部盖上防污染盖；第三步骤，用于在待正面蒸金表面上的TiN层上通过蒸发工艺形成正面金属。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||