薄膜晶体管

摘要

一种薄膜晶体管，其包括基板、缓冲层、图案化多晶硅层、栅极介电层以及多个栅极。图案化多晶硅层配置在缓冲层与基板上，图案化多晶硅层具有多个信道区、至少一重掺杂区、二轻掺杂区、一源极区与一漏极区，其中重掺杂区连接于二相邻的信道区之间，源极区通过其中一轻掺杂区与一最外侧的信道区连接，且漏极区通过另一轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接。栅极介电层覆盖图案化多晶硅层。多个栅极配置在栅极介电层上，其中这些栅极彼此电性连接，且各栅极位于其中一信道区与部分重掺杂区上方。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：一基板；一图案化多晶硅层，配置在该基板上，该图案化多晶硅层具有多个信道区、至少一重掺杂区、二轻掺杂区、一源极区与一漏极区，其中该重掺杂区连接于二相邻的信道区之间，该源极区通过其中一轻掺杂区与一最外侧的信道区连接，且该漏极区通过另一轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接；一栅极介电层，覆盖该图案化多晶硅层；以及多个栅极，配置在该栅极介电层上，其中该些栅极彼此电性连接，各该栅极位于其中一信道区与部分重掺杂区上方，该栅极自该信道区上方延伸至部分重掺杂区上方，其中该些栅极不与该轻掺杂区重叠；其中，该重掺杂区与该信道区之间不具有轻掺杂区；该源极区、该重掺杂区与该漏极区的掺杂浓度彼此相当。