PMOS晶体管的形成方法

摘要

本发明公开了一种PMOS晶体管的形成方法，其通过在填充锗硅以形成源漏区之前，先对栅极的侧墙进行碳离子注入和退火工艺，使碳原子与侧墙表面的硅断键相结合，以消除硅断键，从而在后续填充锗硅时，阻止锗原子以及掺杂的硼原子与硅断键相结合，从而抑制栅极侧墙表面锗硅的淀积，改善侧墙缺陷。本发明较佳地还可使注入的碳原子与侧墙表面的氮断键相结合，以消除氮断键。本发明工艺与现有工艺兼容，具有较大应用价值。

主权项

一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极结构及栅极结构两侧的源漏区；步骤S02，在所述栅极结构的侧壁上形成侧墙；步骤S03，对所述侧墙表面进行碳离子注入并退火；步骤S04，在所述栅极结构两侧的源漏区形成源漏凹槽；步骤S05，在所述源漏凹槽内填充锗硅以形成锗硅源漏区。