一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种用于制作半导体器件的方法。该方法中在制作多晶硅栅极之前加入了对多晶硅层的化学机械平坦化处理步骤，从而使得后续制作得到的多晶硅栅极都在相同的高度上，避免了现有技术中的氮化硅残留问题。因此，能够提高半导体器件的成品率，改善器件性能。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成隔离槽；在半导体衬底上沉积绝缘材料层；去除半导体衬底表面的绝缘材料，仅留下所述隔离槽中的绝缘材料；在半导体衬底上形成栅极氧化物；在所述栅极氧化物上沉积多晶硅层；对所述多晶硅层进行化学机械平坦化处理，使得所述多晶硅层表面变得平坦；对所述多晶硅层的表面进行清洗；以及利用所述多晶硅层形成多晶硅栅极，其中对所述多晶硅层进行化学机械平坦化处理包括：磨头的向下压力保持在1psi‑3psi，转盘的转速为50rpm‑110rpm，使用质量百分比小于40％的基于氧化铈的研磨浆料，其中对所述多晶硅层的表面进行清洗的步骤包括：使用温度大于60℃的碱性溶液对所述多晶硅层表面进行清洗，从而去除残留在所述多晶硅层表面的颗粒。