CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法

摘要

一种CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法。所述CMOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、第一功函数金属层、第二功函数金属层和多晶硅层，第二功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管的功函数范围，第一功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管功函数和PMOS晶体管功函数的算术平均值范围，在PMOS晶体管区域对应的第二功函数金属层中进行铝离子注入；形成NMOS晶体管区域对应的栅极结构和PMOS晶体管区域对应的栅极结构。本发明在采用先栅极制作工艺的过程中，可以更稳定准确地控制金属栅极的功函数，使得晶体管具有性能稳定的门限电压。

主权项

一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一功函数金属层，所述第一功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管功函数和PMOS晶体管功函数的算术平均值范围；在所述第一功函数金属层上形成第二功函数金属层，所述第二功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管的功函数范围；在所述PMOS晶体管区域对应的第二功函数金属层中进行铝离子注入；在所述第二功函数金属层上形成多晶硅层；分别刻蚀所述NMOS晶体管区域和所述PMOS晶体管区域上的所述多晶硅层、第二功函数金属层、第一功函数金属层和栅介质层，形成NMOS晶体管区域对应的栅极结构和PMOS晶体管区域对应的栅极结构。