一种AgSbTe₂单晶纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种AgSbTe₂单晶纳米线阵列的制备方法，是在孔洞均匀一致的阳极氧化铝模板中，利用直流电沉积技术，制备得到沿着[100]方向生长的立方晶体结构的AgSbTe₂单晶纳米线及其阵列，晶胞参数为a=0.3039nm。本发明方法是在室温、敞开体系的温和条件下进行的，设备简单、易于工业化生产。

主权项

一种AgSbTe₂单晶纳米线阵列的制备方法，包括多孔氧化铝模板的制备、电解液的配制、电化学沉积以及后处理各单元过程，其特征在于：所述多孔氧化铝模板的制备是采用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，所述多孔氧化铝模板中均布孔径50nm的纳米孔，在所述多孔氧化铝模板的反面通过真空蒸镀沉积一层200nm厚的金膜，得到镀金氧化铝模板；所述电解液的配制是配制浓度为0.23 mol.L^‑1 的酒石酸水溶液作为缓冲溶液，向所述缓冲溶液中加入TeO₂、KSbOC₄H₄O₆·1/2H₂O和AgNO₃，使得缓冲溶液中TeO₂、KSbOC₄H₄O₆·1/2H₂O和AgNO₃的浓度分别为1 mmol.L^‑1、0.5 mmol.L^‑1和0.5 mmol.L^‑1，搅拌混合均匀得到电解液；所述电化学沉积是以镀金氧化铝模板为阴极，以石墨作为阳极，在所述电解液中通过电化学沉积得到单晶AgSbTe₂纳米线阵列。