一种相变材料化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。

主权项

一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2)所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3)在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4)在酸性抛光液的条件下，利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5)在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6)采用抛光液，利用化学机械抛光去除第三电介质层；所述第二电介质层的材料选自SiO₂，SiN，SiON中的一种；所述第三电介质层的材料选自SiO₂，SiN，SiON中的一种；所述步骤6中，所述化学机械抛光工艺采用的抛光液的pH为6～9；所述第三电介质层的去除速率为30～50nm/min，抛光选择比大于2，小于10。