发明名称 |
多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭 |
摘要 |
本发明提供一种使硅熔融液从底面向上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法,在坩埚的底面配设有二氧化硅,将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X(10mm≤X<30mm)的第一区域、自高度X至高度Y(30mm≤Y<100mm)的第二区域和高度Y以上的第三区域,所述第一区域中的凝固速度V1设定在10mm/h≤V1≤20mm/h的范围内,所述第二区域中的凝固速度V2设定在1mm/h≤V2≤5mm/h的范围内。本发明提供一种通过存在较多朝向(001)和(111)取向的晶体,并且底部中的氧浓度高的部分少,从而能大幅提高作为制品的多晶硅的生产合格率的多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法。 |
申请公布号 |
CN102834354B |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201180015881.9 |
申请日期 |
2011.03.25 |
申请人 |
三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社 |
发明人 |
续桥浩司;池田洋;金井昌弘;胁田三郎 |
分类号 |
C01B33/02(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
康泉;王珍仙 |
主权项 |
一种多晶硅锭的制造方法,为在坩埚内使熔融硅自所述坩埚的底面向着上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法,所述坩埚由二氧化硅构成,在所述坩埚的侧壁内面形成有氮化硅涂层,在所述坩埚的底面以二氧化硅露出的方式配设有二氧化硅,将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X的第一区域、自高度X至高度Y的第二区域和高度Y以上的第三区域,该高度X为10mm≤X<30mm,高度Y为30mm≤Y<100mm,所述第一区域中的凝固速度V1设定在10mm/h≤V1≤20mm/h的范围内,所述第二区域中的凝固速度V2设定在1mm/h≤V2≤5mm/h的范围内。 |
地址 |
日本东京 |