| 发明名称 | 改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。根据本发明的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一步通过控制Ag层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。 | ||
| 申请公布号 | CN104409379A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410668058.3 | 申请日期 | 2014.11.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王鹏;刘宇;李秀莹 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150‑200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||