| 发明名称 | 用于鳍式晶体管的高迁移率应变沟道 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于将高迁移率应变沟道并入到鳍式晶体管(例如，诸如双栅极、三栅极等的FinFET)中的技术，其中将应力材料包覆到所述鳍状物的沟道区域上。在一个示例性实施例中，将硅锗(SiGe)包覆到硅鳍状物上以提供要求的应力，尽管也可以利用其它鳍状物和包覆材料。所述技术与典型的工艺流程兼容，并且包覆沉积可以发生在工艺流程内的多个位置处。在一些情况下，利用在所述沟道中压缩所述鳍状物和包覆层的源极/漏极压力源可以增强来自所述包覆层的内部应力。在一些情况下，可以提供可选的盖层以改进栅极电介质/半导体界面。在一个这种实施例中，在SiGe包覆层之上提供硅以改进栅极电介质/半导体界面。 | ||
| 申请公布号 | CN104412389A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201380033774.8 | 申请日期 | 2013.06.12 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·M·塞亚;A·S·默西;G·A·格拉斯;D·B·奥贝蒂内;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 林金朝;王英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底上的鳍状物，所述鳍状物包括半导体材料并且具有沟道区以及与所述沟道区相邻的相应的源极/漏极区；在所述鳍状物的所述沟道区的一个或多个表面上的锗或硅锗(SiGe)的包覆层；所述包覆层之上的栅极电介质层；所述栅极电介质层上的栅极电极；以及所述源极/漏极区中的每个源极/漏极区中的源极/漏极材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||