| 摘要 |
<p>Dispositif photodétecteur (102) comprenant :
- une couche de semi-conducteur (104) dopé selon un premier type de conductivité ;
- deux premières portions (106a, 106b) de semi-conducteur dopé selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, distinctes et espacées l'une de l'autre, et disposées dans la couche de semi-conducteur l'une à côté de l'autre ;
- une deuxième portion (108) de semi-conducteur dopé selon le premier type de conductivité avec un niveau de dopage supérieur à celui de la couche de semi-conducteur et délimitant, avec la couche de semi-conducteur, les premières portions en formant des jonctions p-n,
dans lequel une partie (110) de la couche de semi-conducteur sépare les premières portions tel que des zones de charge d'espace entre les premières portions forment une barrière de potentiel dont le niveau est inférieur au potentiel de la deuxième portion et de la couche de semi-conducteur.</p> |
