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一种晶圆次微米接合方法，其系用以接合两个晶圆，该晶圆次微米接合方法包含有下列步骤：a.提供一第一晶圆与一第二晶圆；b.于该第一晶圆与该第二晶圆之预接合表面上各形成一接合层，该接合层是由一上方金属层、一中间扩散缓冲金属层与一底部金属层所组成，该中间扩散缓冲金属层之熔点高于该上方金属层与该底部金属层，该上方金属层与该底部金属层是选自可相互反应成为共晶相位之金属材料，该中间扩散缓冲金属层之体积厚度是该接合层之体积厚度之0%以上至5%；以及c.将该第一晶圆之接合层与该第二晶圆之接合层进行接合，接合过程中在该中间扩散缓冲金属层阻隔下，两该上方金属层先液相接合，至该中间扩散缓冲金属层随该上方金属层熔融后均匀分布，该底部金属层与该上方金属层相互扩散，将该上方金属层完全消耗反应成为一共晶相位之金属化合物，且该中间金属层均匀分布于该化合物中。
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