| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体基材，包含一p型通道夹设于一第一源极区与一第一汲极区之间，以及一n型通道夹设于一第二源极区与一第二汲极区之间；一第一闸极堆叠设置于该半导体基材上及位于该p型通道区上，其中该第一闸极堆叠包含：一高介电常数介电层形成于该半导体基材上；一拉伸应力高介电常数盖层形成于该高介电常数介电层之顶部上，并位于该p型通道上；一第二闸极堆叠位于该半导体基材上及位于该n型通道区上，其中该第二闸极堆叠包含：该高介电常数介电层；以及一压缩应力n型功函数金属层形成于该高介电常数介电层之顶部上，并位于该n型通道上。
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