形成鳍式场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将所述鳍状立柱和导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将部分区域的所述栅电极材料层的表面进行覆盖；涂覆光刻胶，进行光刻和刻蚀工艺，将未被硬掩膜层覆盖区域中的鳍状立柱顶部的栅电极材料层进行去除，进而将此区域中鳍状立柱两侧的栅极电极断开为两个独立的部分，并籍由所述硬掩膜层保护位于硬掩膜层下方的栅电极材料层免受刻蚀损伤。一方面可避免非刻蚀区域的栅电极材料层避免受到刻蚀损伤，另一方面成功的将4T-FinFET和3T-FinFET整合在一起，优点是自对准。

主权项

一种形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将所述鳍状立柱和半导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将部分区域的所述栅电极材料层的表面进行覆盖；涂覆光刻胶，进行光刻和刻蚀工艺，将未被硬掩膜层覆盖区域中的鳍状立柱顶部的栅电极材料层进行去除，进而将此区域中鳍状立柱两侧的栅电极材料层断开为两个独立的部分，并籍由所述硬掩膜层保护位于硬掩膜层下方的栅电极材料层免受刻蚀损伤。