| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极并列设置在所述栅极的上方，所述源极包括第一边，所述漏极包括第二边，所述第一边与所述第二边相对设置，所述第一边和所述第二边之间形成沟道。所述第一边与所述第二边均呈非直线状，所述沟道之沿着所述第一边和所述第二边的延伸的方向上的尺寸为所述沟道的宽度，在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。本发明能够使得薄膜晶体管沟道的各部分透光率一致，提高薄膜晶体管的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN104409509A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410558127.5 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 衣志光 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极并列设置在所述栅极的上方，所述源极包括第一边，所述漏极包括第二边，所述第一边与所述第二边相对设置，所述第一边和所述第二边之间形成沟道，其特征在于，所述第一边与所述第二边均呈非直线状，所述沟道之沿着所述第一边和所述第二边的延伸的方向上的尺寸为所述沟道的宽度，在所述沟道的宽度方向上，所述沟道由中间向两端渐收缩变窄。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||