碳化硅外延晶片及其制备方法

摘要

根据一个实施方案，提供一种制造外延晶片的方法，其包括：在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长外延层，其中所述在所述晶片上生长外延层包括将原料供给到所述衬托器中；在所述晶片上以第一生长速度生长所述外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述外延层。根据一个实施方案，提供一种碳化硅外延晶片，其包含碳化硅晶片；和所述碳化硅晶片上的碳化硅外延层，其中在所述碳化硅外延层上形成的表面缺陷为1ea/cm²以下。

主权项

一种制造碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括：在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长碳化硅外延层，其中所述在所述晶片上生长碳化硅外延层包括：将原料供给到所述衬托器中；在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述碳化硅外延层，其中所述原料包含碳、硅和氯。