形成半导体装置的方法

主权项

一种形成半导体装置的方法，包含以下步骤：形成金属膜于基板上；藉由产生电浆使该金属膜一表面氧化而形成金属氧化膜于该金属膜上；形成氧化膜于该金属氧化膜上；形成底膜于该氧化膜上；形成半导体膜于该底膜上；形成包含部分该半导体膜之一积体电路于该底膜上；以及藉由一物理手段使该积体电路及该底膜自该金属氧化膜内侧或位于该金属氧化膜介面之该基板剥离。