| 发明名称 | 一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对第一栅极的电容C<sub>g1_g1</sub>，第一栅极对第二栅极的电容C<sub>g1_g2</sub>；步骤2：将源极、漏极、第一栅极接地，在第二栅极上加偏置和交流小信号，测出第二栅极对第二栅极的电容C<sub>g2_g2</sub>，第二栅极对第一栅极的电容C<sub>g2_g1</sub>；步骤3：计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容C<sub>g</sub>，C<sub>g</sub>＝C<sub>g1_g1</sub>+C<sub>g1_g2</sub>+C<sub>g2_g2</sub>+C<sub>g2_g1</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN104407229A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410576896.8 | 申请日期 | 2014.10.24 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 李建成;徐顺强;李聪;尚靖;李文晓;吴建飞;曾祥华;郑黎明 |
| 分类号 | G01R27/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人 | 胡伟华 |
| 主权项 | 一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极(3)、漏极(4)、第二栅极(6)接地，在第一栅极(5)上加偏置和交流信号，测出第一栅极(5)对第一栅极(5)的电容C<sub>g1_g1</sub>、第一栅极(5)对第二栅极(6)的电容C<sub>g1_g2</sub>； 步骤2：将源极3、漏极4、第一栅极5接地，在第二栅极上加偏置和交流信号，测出第二栅极(6)对第二栅极(6)的电容C<sub>g2_g2</sub>、第二栅极(6)对第一栅极(5)的电容C<sub>g2_g1</sub>； 步骤3：根本步骤1和步骤2的测量结果，计算双栅极场效应晶体管结构的总的栅电容C<sub>g</sub>，计算的公式如下： C<sub>g</sub>＝C<sub>g1_g1</sub>+C<sub>g1_g2</sub>+C<sub>g2_g2</sub>+C<sub>g2_g1</sub>。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 | ||