容量翻倍的芯片内部表项及其实现方法

摘要

本发明揭示了一种容量翻倍的芯片内部表项及其实现方法，通过在常规的nROrmW存储器或者nRmW存储器上增加一个外部控制信号和少量控制逻辑，使得在控制信号使能时，nROrmW存储器内n×m块并行的1RW存储器或者nRmW存储器内n×m块并行的1R1W存储器变成N组并联的存储器单元，N和n/N均为正整数，每组存储器单元内的1RW存储器或1R1W存储器为串联结构，从而实现在特定模式下的表项容量翻倍甚至更多，控制逻辑用于控制nROrmW存储器或nRmW存储器的读写操作。本发明使得nROrmW存储器或nRmW存储器内部并行结构的多块存储器变成串行结构的存储器，从而使得表项容量增大，提高芯片的应用灵活度。

主权项

一种容量翻倍的芯片内部表项，其特征在于，所述芯片内部表项为nROrmW存储器，所述nROrmW存储器包括n×m个1RW存储器、一个外部控制信号和控制逻辑，其中n，m为大于等于0的整数，所述nROrmW存储器外部具有n个读端口和m个写端口，初始时，所述n×m个1RW存储器之间均为并联结构；当所述外部控制信号使能时，所述n×m个1RW存储器被分成N组存储器单元，N和n/N均为正整数，每组所述存储器单元之间并联，且每组存储器单元内的所述1RW存储器之间为串联结构，所述控制逻辑用于控制所述nROrmW存储器的读写操作。