氮化硅膜和太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片

摘要

本发明公开了一种氮化硅膜的制作方法、太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片，其中，在沉积氮化硅膜时，通过链式PECVD设备的工艺腔在基板表面沉积氮化硅膜；其中，工艺腔提供的氨气和硅烷气体的气体流量比值范围为1.5～2.64，包括端点值，且沉积的氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过调整氨气和硅烷气体的气体流量比值为1.5～2.64，在沉积氮化硅膜过程中，形成厚度范围为75nm～85nm、且折射率范围为2.15～2.35的氮化硅膜，有效的降低了太阳能电池片的光致衰减程度，进而提高了太阳能电池片的短路电流和开路电压，保证了太阳能电池片的性能稳定。

主权项

一种氮化硅膜的制作方法，其特征在于，包括：获取一基板；通过链式PECVD设备的工艺腔在基板表面沉积氮化硅膜；其中，所述工艺腔提供的氨气和硅烷气体的气体流量比值范围为1.5～2.64，包括端点值，且沉积的所述氮化硅膜厚度范围为75nm～85nm，包括端点值，所述氮化硅膜的折射率范围为2.15～2.35，包括端点值。