| 发明名称 | 三维记忆阵列之Z方向解码 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI476900 | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | TW101103146 | 申请日期 | 2012.01.31 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李冠儒 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/06;G11C7/18 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一积体电路，包括：一三维记忆阵列，包含复数阶层，该些阶层各自包括NAND串列之二维阵列，该些NAND串列包含记忆胞及开关电晶体，该些开关电晶体具有横越该些阶层而变化之临界电压阶层的组合；复数条选择线，系电性耦接至该些开关电晶体；以及控制电路，系施加一偏压配置至该些选择线，如此而由该些开关电晶体选择位于该些阶层中之一特定阶层上的该些NAND串列，并由该些开关电晶体不选择位于该些阶层中除该特定阶层外之其他阶层上的该些NAND串列。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||