| 主权项 |
一种场效电晶体(FET)装置，其包含：一源极区；一汲极区；至少一通道，其使该源极区与该汲极区互连；及一闸极，其环绕该通道之至少一部分，该闸极经组态以归因于贯穿该闸极之至少一能带边缘金属之选择性置放而具有多个临界电压；使该源极区与该汲极区互连之复数个鳍片，其用作该装置之该等通道，每一鳍片具有一第一侧面及与该第一侧面相对之一第二侧面；及使该等鳍片与该闸极分开之一介电层，其中该闸极进一步包含：在该介电层上之一第一金属层；及一系列第二金属层，其包含在每一鳍片之该第二侧面处在该第一金属层上之该至少一能带边缘金属，其中该闸极环绕该等鳍片中之每一者之至少一部分，且其中邻近于该等鳍片中之每一者之该第一侧面的该闸极之一部分经组态以具有一临界电压Vt1，且邻近于该等鳍片中之每一者之该第二侧面的该闸极之一部分经组态以具有一临界电压Vt2，其中归因于邻近于该等鳍片中之每一者之该第二侧面的该闸极之该部分中存在该至少一能带边缘金属而使得Vt2不同于Vt1。 |
