金属高介电常数场效电晶体之双金属与双介电质整合

主权项

一种形成半导体元件的方法，包含：形成一闸极堆叠，该闸极堆叠包括一闸极介电质与一第一金属闸极导体，位于一基板之一第一传导类型区域与一第二传导类型区域上；移除该第一金属闸极导体在该第一传导类型区域上的一部分以暴露该第一传导类型区域上的该闸极介电质，其中该第一金属闸极导体的一剩余部分系存在于该第二传导类型区域上；氮化在该第一传导类型区域上的该闸极介电质以及在该第二传导类型区域上的该第一金属闸极导体，其中该氮化包含施用一含氮电浆至该闸极介电质以及该第一金属闸极导体；以及形成一第二金属闸极导体，至少覆盖该第一传导类型区域上的该闸极介电质。