涂覆阻挡涂层的纳米结构

摘要

本发明涉及包括纳米结构的装置，其中所述纳米结构由导电材料制成并且其中所述纳米结构由阻挡涂层覆盖，该阻挡涂层包含Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物，厚度至少为约1nm，其中通过原子层沉积(ALD)来沉积所述阻挡涂层。本发明还涉及在这种装置中检测目标化合物的方法以及这种装置用于表面特异性地产生倏逝场、测量介质的介电性能、检测目标化合物的存在或浓度、确定目标化合物的一级结构、确定目标化合物与对照值的偏差、扩增目标化合物或监测目标化合物的扩增的用途。此外，本发明涉及制造包括纳米结构的装置的方法，该纳米结构允许通过产生倏逝场进行表面特异性的检测或允许介电传感，该方法包括通过原子层沉积(ALD)在诸如铝的导电材料上沉积厚度至少为约1nm的Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物阻挡涂层。

主权项

包括纳米结构的装置，其中所述纳米结构由导电材料制成并且其中所述纳米结构由阻挡涂层覆盖，该阻挡涂层包含Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物，厚度至少为约1nm，其中通过原子层沉积(ALD)来沉积所述阻挡涂层。