深度氧化法KPTA生产中的结晶分离方法及装备

摘要

本发明涉及一种深度氧化法KPTA生产中的结晶分离方法及装备，该方法对深度氧化反应器排出的浆料进行二道结晶，所述二道结晶包括依次进行的一结晶和二结晶两道结晶工序，所述一结晶在190℃～210℃条件下进行，所述二结晶在140℃～160℃条件下进行，对所述二结晶排出的浆料只进行一道过滤分离，所述过滤分离采用旋转压力过滤机（RPF）进行，过滤分离出的湿滤饼经干燥机干燥后形成产品KPTA，通过调节所述深度氧化和所述结晶的工艺条件，能够控制产品KPTA的粒径，该装备包括依次连接的一结晶器、二结晶器、过滤分离器和干燥机。本发明流程简捷，投资少，能耗低，经济效益显著，可用于聚合级对苯二甲酸深度氧化法生产的KPTA结晶分离。

主权项

一种深度氧化法KPTA生产中的结晶分离方法，其在氧化、深度氧化工序过程完成后，对深度氧化反应器排出的浆料进行二道结晶，通过调节所述深度氧化和所述结晶的工艺条件，控制产品KPTA的粒径，在氧化阶段TA粒径～110μm，和最终产品粒径大致相当，成品粒径变化历经下述过程，深度氧化I在230～250℃条件下进行，在此深度氧化反应器TA处于溶解、粒径变小的过程，以便深度氧化反应进行，深度氧化II在220～230℃条件下进行，在此深度氧化反应器中溶解的TA处于过饱和态，既有深度氧化反应，又有结晶离子增大成长过程，所述二道结晶包括依次进行的一结晶和二结晶两道结晶工序，所述一结晶在190℃～210℃条件下进行，所述二结晶在140℃～160℃条件下进行，对所述二结晶排出的浆料只进行一道过滤分离，所述过滤分离采用旋转压力过滤机进行，过滤分离出的湿滤饼经干燥机干燥后形成产品KPTA，所述二结晶排出的浆料在液位控制下排入常压的旋转压力过滤机供料槽，由此可以控制一结晶和二结晶内的压力，常压的旋转压力过滤机供料槽的浆料以泵送入所述旋转压力过滤机。