一种光子晶体材料及其设计方法

摘要

本发明提供了一种光子晶体材料及其设计方法，该光子晶体材料包括周期性排列的片状介电材料A及片状人工合成材料B，其中，所述片状介电材料A的折射率n_A及所述片状人工合成材料B的折射率n_B均大于零，而所述光子晶体材料的折射率n_T小于零。片状人工合成材料B包括附着基材以及附着于附着基材上的人造微结构，通过调节所述人造微结构的形状来调节所述片状人工合成材料B的介电常数ε_B以及磁导率μ_B。片状介电材料A与所述片状人工合成材料B交替排列形成的光子晶体中，介电常数ε的大小呈周期性交替变化为ε_A-ε_Bs，从而使得所述光子晶体材料对于特定频率的电磁波呈负折射率。

主权项

一种光子晶体材料，其特征在于，所述光子晶体材料包括周期性交替排列的片状介电材料A及片状人工合成材料B，所述片状介电材料A为介电绝缘材料，所述片状介电材料A的折射率n_A及所述片状人工合成材料B的折射率n_B均大于零，所述光子晶体材料的折射率n_T小于零；其中，所述片状人工合成材料B包括多个人造微结构以及附着基材，所述多个人造微结构的几何形状、尺寸以及所述多个人造微结构在所述附着基材上的分布影响所述片状人工合成材料B的介电常数ε_B以及磁导率μ_B；所述多个人造微结构响应于电磁波而在其内部积累电势差，使得所述多个人造微结构与所述片状介电材料A的接合处的介电常数大于所述片状介电材料A及所述片状人工合成材料B的介电常数ε_A及ε_B，使得所述片状人工合成材料B的等效介电常数ε_Bs大于ε_B。