培养基体的使用方法

摘要

本发明涉及一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括：提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于待培养的神经突起的直径；对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。此外，所述碳纳米管结构还可以包括多个交叉设置的碳纳米管线，该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔，且每个孔的有效直径大于等于待培养的神经突起的直径。

主权项

一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括：提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于待培养的神经突起的直径，每个碳纳米管线包括多个碳纳米管，且该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连且沿该碳纳米管线的轴向延伸；采用聚醚酰亚胺溶液对所述碳纳米管结构进行极性化处理使该碳纳米管结构具有一极性化表面，该碳纳米管结构的极性化表面具有与待培养的神经细胞相匹配的电荷极性；在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管的轴向延伸方向生长。