| 发明名称 | 在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜，它包括LiGaO<sub>2</sub>衬底,依次生长在LiGaO<sub>2</sub>衬底上的GaN缓冲层、GaN薄膜；所述LiGaO<sub>2</sub>衬底以(100)面偏(110)方向0.2-1°为外延面。本实用新型的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，可广泛应用于LED、LD、太阳能电池等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN204204894U | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201420288900.6 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 在镓酸锂衬底上外延生长的非极性<b>GaN</b><b>薄膜，其特征在于：它由</b><b>LiGaO<sub>2</sub></b><b>衬底以及在</b><b>LiGaO<sub>2</sub></b><b>衬底上的脉冲激光沉积法制备的</b><b>GaN</b><b>缓冲层、分子束外延法制备的</b><b>GaN</b><b>薄膜组成；所述</b><b>LiGaO<sub>2</sub></b><b>衬底以</b><b>(100)</b><b>面偏</b><b>(110)</b><b>方向</b><b>0.2‑1</b><b>°为外延面</b><b>;</b><b>所述</b><b>GaN</b><b>缓冲层的厚度为</b><b>30‑50 nm</b><b>；所述</b><b>GaN</b><b>薄膜的厚度为</b><b>100‑300 nm</b>。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||