| 发明名称 | 一种提高用于太阳能电池的铜锌锡硫薄膜质量的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于一种提高用于太阳能电池的铜锌锡硫薄膜质量的方法，包括以下步骤，硒化：在500-550℃下，采用固态硒源((硒粉或硒块))对铜锌锡硫薄膜进行硒化，硒化时间为20-40min，然后冷却至室温；硫化：将硒化后的铜锌锡硫薄膜在500-550℃下、固态硫源（硫粉或硫块）下硫化，硫化时间为20-40min，然后冷却至室温；二次硒化：在500-550℃下，采用固态硒源对硫化后的铜锌锡硫薄膜进行二次硒化，硒化时间为10-20min，然后冷却至室温；二次硫化：将二次硒化后的铜锌锡硫薄膜在500-550℃下、固态硫源下二次硫化，硫化时间为5-13min，然后冷却至室温。 | ||
| 申请公布号 | CN104409568A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410638475.3 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 郑州大学 | 发明人 | 陈永生;符凯亮;张利伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人 | 王聚才;周闯 |
| 主权项 | 一种提高用于太阳能电池的铜锌锡硫薄膜质量的方法，其特征在于，包括以下步骤，硒化：在500‑550℃下，采用固态硒源对铜锌锡硫薄膜进行硒化，硒化时间为20‑40min，然后冷却至室温；硫化：将硒化后的铜锌锡硫薄膜在500‑550℃下、固态硫源下硫化，硫化时间为20‑40min，然后冷却至室温；二次硒化：在500‑550℃下，采用固态硒源对硫化后的铜锌锡硫薄膜进行二次硒化，硒化时间为10‑20min，然后冷却至室温；二次硫化：将二次硒化后的铜锌锡硫薄膜在500‑550℃下、固态硫源下二次硫化，硫化时间为5‑13min，然后冷却至室温。 | ||
| 地址 | 450001 河南省郑州市高新区科学大道100号 | ||