| 发明名称 | 蚀刻液、蚀刻力回复剂、太阳能电池用半导体基板的制备方法及太阳能电池用半导体基板 | ||
| 摘要 | 作为用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，使用含有选自特定的磺酸化合物及其盐的至少一种和硅酸和/或硅酸盐的碱性蚀刻液。在本发明中，磺酸化合物优选为对甲苯磺酸。 | ||
| 申请公布号 | CN104411797A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201380036667.0 | 申请日期 | 2013.07.02 |
| 申请人 | 摄津制油株式会社 | 发明人 | 斋田利典;大八木伸;镰田义辉;横田行永;米田照正 |
| 分类号 | C09K13/06(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李志强;李炳爱 |
| 主权项 | 蚀刻液，所述蚀刻液为用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，含有选自以下列通式(I)表示的磺酸化合物及其盐的至少一种和硅酸和/或硅酸盐：[化1]<img file="2013800366670100001dest_path_image002.GIF" wi="184" he="110" />上述通式(I)中的n为0~5的整数，R分别独立地为氢原子或碳原子数1~12的烷基。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||